Новости

12.06.2018. В международном журнале с импакт-фактором Physica Status Solidi – Rapid Research Letters (Phys. Status Solidi RRL 2/2018, Wiley-VCH) опубликована статья доктора, доцента каф. ИТМФ КГУ Сиркели В.П.

Пресс-релиз

В международном журнале с импакт-фактором Physica Status SolidiRapid Research Letters (Phys. Status Solidi RRL 2/2018, Wiley-VCH) опубликована статья доктора, доцента каф. ИТМФ КГУ Сиркели В.П. в со-авторстве с коллегами из Дармштадтского технического университета (Германия) и Молдавского государственного университета (Молдова): «Enhanced Responsivity of ZnSe-Based MetalSemiconductorMetal Near-Ultraviolet Photodetector via Impact Ionization»  

 

Научная статья исследователей из Комратского государственного университета (Молдова), Дармштадтского технического университета (Германия) и Молдавского государственного университета (Молдова) посвящена разработке и исследованию ультрафиолетовых детекторов на основе селенида цинка с улучшенными техническими характеристиками. Статья была опубликована в февральском выпуске (2/2018) журнала Physica Status SolidiRapid Research Letters, а иллюстрация из статьи вынесена на обложку журнала.

Обложка журнала:

Sirkeli, V. P., Yilmazoglu, O., Hajo, A. S., Nedeoglo, N. D., Nedeoglo, D. D., Preu, S., Küppers, F. and Hartnagel, H. L. (2018): Enhanced Responsivity of ZnSe-Based Metal–Semiconductor–Metal Near-Ultraviolet Photodetector via Impact Ionization (Phys. Status Solidi RRL 2/2018). Phys. Status Solidi RRL, vol. 12, issue 2, 1870305.

DOI: 10.1002/pssr.201870305

Web-link: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.201870305/full

Статья:

Sirkeli, V. P., Yilmazoglu, O., Hajo, A. S., Nedeoglo, N. D., Nedeoglo, D. D., Preu, S., Küppers, F. and Hartnagel, H. L. (2018): Enhanced Responsivity of ZnSe-Based Metal–Semiconductor–Metal Near-Ultraviolet Photodetector via Impact Ionization. Phys. Status Solidi RRL, vol. 12, issue 2, 1700418. DOI: 10.1002/pssr.201700418

Web-link: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.201700418/full

 

Ультрафиолетовые датчики имеют широкое применение в медицине, биологии, в телекоммуникации, а также в устройствах мониторинга озонового слоя, в устройствах обнаружения воспламенения, а также в персональных дозиметрах ультрафиолетового излучения. Обычные коммерческие ультрафиолетовые датчики, изготавливаемые на основе кремния или арсенида галлия, требуют специальных дополнительных фильтров от видимого и инфракрасного излучения и могут быть повреждены при больших интенсивностях ультрафиолетового излучения вследствие генерации дефектов отжига. Для того чтобы решить эти проблемы и недостатки обычных ультрафиолетовых датчиков, исследователи из Комратского государственного университета (Молдова), Дармштадтского технического университета (Германия) и Молдавского государственного университета (Молдова) предложили использовать в качестве активного слоя ультрафиолетового датчика высокоомный селенид цинка выращенный из паровой фазы. Разработанные исследователями датчики обладают структурой металл-полупроводник-металл и работают при комнатной температуре. Авторами показано, что изготовленные датчики обладают улучшенными техническими характеристиками (чувствительностью и откликом) вследствие использования внутреннего механизма умножения носителей заряда, называемого ударной ионизацией.

 

Благодарности

В.П. Сиркели благодарит фонд Александра фон Гумбольдта (Alexander von Humboldt Foundation, Bonn, Germany) за поддержку научных исследований.

 

В.П. Сиркели,

Доктор физико-математических наук, доцент кафедры Информационных технологий, математики и физики Комратского госуниверситета

 

 

 

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

IN ENGLISH

Press Release

Research paper on high-performance ZnSe-based near-ultraviolet photodetector is published and illustrated on journal cover of Physica Status Solidi –

Rapid Research Letters (Phys. Status Solidi RRL 2/2018, Wiley-VCH)

 

The paper of researchers from the Darmstadt University of Technology (Darmstadt, Germany), Comrat State University (Comrat, Moldova) and Moldova State University (Chisinau, Moldova) on high-performance ZnSe-based near-ultraviolet photodetector was published in February issue of the journal Physica Status Solidi – Rapid Research Letters and is also illustrated on the journal cover.

Journal cover:

Sirkeli, V. P., Yilmazoglu, O., Hajo, A. S., Nedeoglo, N. D., Nedeoglo, D. D., Preu, S., Küppers, F. and Hartnagel, H. L. (2018): Enhanced Responsivity of ZnSe-Based Metal–Semiconductor–Metal Near-Ultraviolet Photodetector via Impact Ionization (Phys. Status Solidi RRL 2/2018). Phys. Status Solidi RRL, vol. 12, issue 2, 1870305.

DOI: 10.1002/pssr.201870305

Web-link: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.201870305/full

Paper:

Sirkeli, V. P., Yilmazoglu, O., Hajo, A. S., Nedeoglo, N. D., Nedeoglo, D. D., Preu, S., Küppers, F. and Hartnagel, H. L. (2018): Enhanced Responsivity of ZnSe-Based Metal–Semiconductor–Metal Near-Ultraviolet Photodetector via Impact Ionization. Phys. Status Solidi RRL, vol. 12, issue 2, 1700418. DOI: 10.1002/pssr.201700418

Web-link: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssr.201700418/full

 

Ultraviolet (UV) photodetectors are of special interest in view of their potential applications in medicine, biology, space, and telecommunication, including ozone layer monitoring, high temperature flame detection, nitrogen oxide gas-sensing and personal UV exposure dosimetry. Most commercial UV photodetectors are based on silicon or gallium arsenide semiconductors, which require a filter to eliminate visible and infrared light, and which could be damaged under intense UV radiation due to induced aging defects. To overcome these problems of conventional commercial UV photodetectors, researchers from the Darmstadt University of Technology (Darmstadt, Germany), Comrat State University (Comrat, Moldova) and Moldova State University (Chisinau, Moldova) used a high-resistivity bulk zinc selenide (ZnSe) semiconductor material grown by vapor phase technique as active layer for the fabrication of near-ultraviolet photodetectors with metal-semiconductor-metal (MSM) structures operating at room temperature. The authors found that the fabricated ZnSe-based UV photodetectors have enhanced sensitivity and responsivity due to the used internal mechanism of multiplication of charge carriers, called impact ionization, which is possible by the application of sufficiently high voltages to the metal electrodes, such that the electric field in the semiconductor is just below breakdown.

Acknowledgements

V.P. Sirkeli gratefully acknowledges the Alexander von Humboldt Foundation for the support.

 

 

Assoc. Prof. Dr. Vadim Sirkeli

Head of Dept. of Information Technologies, Mathematics and Physics,

Comrat State University

Республика Молдова, Комратский Государственый Университет.
г. Комрат, ул. Галацана 17 | e-mail: kdu_91@mail.ru Тел.: +373 298 24345